更新：4月21日 07:00ビジネス：最新ニュース

東芝、フラッシュメモリーの微細化加速――年度内に43ナノ

　東芝は主力のフラッシュメモリーで、回路線幅を43ナノ（ナノは10億分の1）メートルに狭めた製品を2007年度中にも生産し始める。現在の先端である56ナノよりも高度な微細加工技術を用いて半導体を小型化し、約4割のコスト削減を狙う。コスト競争力の高い製品への移行を加速し、半導体価格の下落が続くとみられる中、収益を維持できる体制を目指す。

　メモリーカードや携帯音楽プレーヤー向けに需要が拡大している「ＮＡＮＤ型」と呼ぶフラッシュメモリーに先端技術を適用する。線幅を微細にすることで、歩留まりが同じなら1個の半導体に使う材料（ウエハー）が56ナノに比べ約4割減り、その分、製造コストが下がる計算だ。

[2007年4月21日/日本経済新聞　朝刊]

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